Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
русский
▼
English
한국어
日本語
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
PD22-73 PD22-73LF
Skyworks Solutions
Компоненты Описание :
Two-Way
Power
Splitter
2.1–2.3
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
PD22-73
Alpha Industries
Компоненты Описание :
Two-Way
Power
Splitter
2.1–2.3
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2123A
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.1 – 2.3
GHz
BAND / 32W
(Rev - 2011)
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2123A MGFS45V2123A_04
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.1 - 2.3
GHz
BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2123A
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.1 - 2.3
GHz
BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
(Rev - 1999)
вид
Номер в каталоге(s) :
HY22-73 HY22-73LF
Skyworks Solutions
Компоненты Описание :
90-Degree Hybrid 2.1–2.3
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
HY22-73
Alpha Industries
Компоненты Описание :
90 Degree Hybrid 2.1–2.3
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2123
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.1~2.3
GHz
BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
вид
Номер в каталоге(s) :
AV113-12 AV113-12LF AV113-12_07
Skyworks Solutions
Компоненты Описание :
HIP3™ Variable Attenuator 2.1–2.3
GHz
вид
Номер в каталоге(s) :
BXY43A BXY43B BXY43C Q62702-X116 Q62702-X105 Q62702-X104 BXY43
Siemens AG
Компоненты Описание :
Silicon PIN Diodes
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2325A MGFS45V2325A_04
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.3 - 2.5
GHz
BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2325A
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.3 - 2.5
GHz
BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
(Rev - 2011)
вид
Номер в каталоге(s) :
MGFS45V2325A
MITSUBISHI ELECTRIC
Компоненты Описание :
2.3 - 2.5
GHz
BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
(Rev - 1999)
вид
Номер в каталоге(s) :
TPM2323-30
Toshiba
Компоненты Описание :
MICROWAVE
Power
GaAs FET
(Rev - Old_V)
вид
Номер в каталоге(s) :
TGF4112-EPU TGF4112
TriQuint Semiconductor
Компоненты Описание :
12 mm Discrete HFET
вид
Номер в каталоге(s) :
NE202930 NE202930-T1 NE202930-T1-A
California Eastern Laboratories.
Компоненты Описание :
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
TGF4124-EPU TGF4124
TriQuint Semiconductor
Компоненты Описание :
24 mm Discrete HFET
вид
Номер в каталоге(s) :
TPM2323-30
Toshiba
Компоненты Описание :
MICROWAVE
Power
GaAs FET
вид
Номер в каталоге(s) :
NE202930 NE202930-T1 NE202930-T1-A
Renesas Electronics
Компоненты Описание :
Silicon NPN Epitaxial High Frequency Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
CFH2162-P5
Mimix Broadband
Компоненты Описание :
2.3 to 2.5
GHz
+36 dBm
Power
GaAs FET
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetbank.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]